产品展示

 

 

 

Crucible Sizes

规格
外直径
高度
壁厚1
壁厚2
壁厚 3
半径1
半径 2
D(mm)
H(mm)
W1(mm)
W2(mm)
W3(mm)
R1(mm)
R2(mm)
10”
254±2
178±3
7.0±2
7.0±2
7.0±2
305
70
12”
305±2
228±3
8.0±2
8.0±2
8.0±2
305
80
14”
355±2
254±3
9.0±2
9.0±2
9.0±2
400
90
16”
404±2
305±3
9.5±2
9.5±2
9.5±2
400
90
18”
457±3
355±3
9.5±2
9.5±2
10±2
500
120
20”
508±4
381±3
10.0±3
10.0±3
11.0±2
510
120
22”
558±4.5
381±3
10.0±3
10.0±3
11.0±2
558
130
24”
610±4.5
381±3
11.0±3
11.0±3
12.0±2
610
130

石英坩埚的高度,外直径、壁厚,坩埚底部形状可根据客户要求。


生产工艺

我们利用高温熔制涂层法(Coating Method)和抽真空法(Vacuum tech-nology)制造的高纯度石英坩埚壁体分不透明和透明两层。在坩埚内表面有一层,其典型的厚度为0.6mm~2.0mm. 改透明内没有气泡,且透明层的制造原料纯度高,可以保证坩埚长时间使用不容易析晶。另外,为了不使埚内极少量的金属原子游离,我们又引进了涂钡技术。

化学成分的分析:单位mm
等级
A1
Fe
Ca
Na
K
Li
Ti
Cr
Ni
Mg
B
P
OH
太阳能级
18
0.2
0.6
1.1
0.9
0.7
1.1
0.05
0.05
0.05
0.08
0.05
50
电子级
7.5
0.2
0.5
0.3
0.1
0.2
1.4
0.05
0.05
0.05
0.04
0.02
50
合成级(超长使用寿命)
20
27
23
8
1
1
25
2
1
9
10
10
50
 
质量及性能
 
 
由于我们生产的石英坩埚质量和纯度将直接影响到硅片和半导体材料的纯度,因此我们采用高规格的标准,实现了从美国原材料投入和生产过程到用户使用进行全方位地质量跟踪体系。同时对于产品,从每一个石英坩埚的制造、用先进检测设备检验及检验结果、包装、出货、售后服务,实行一卡片式管理,把检测记录全部保存在计算机里备案。以便更好的服务于客户。

 

在进口原料、制造、切割、清洗、净化、包装,出货,我们都有一整套完善的分工体系。为了净化石英坩埚的纯度,专门建立装配式净化车间,和空气吹淋室,用于吹除人、物表面附着的尘埃,同时起气阀的作用,防止为净化的空气进入洁净区域。
相对于生产高纯度的石英坩埚,对于任何形式的污染都是不利的。如酸碱,水分、盐、蒸汽等都会给坩埚表面留下的污染物,从而导致石英坩埚在使用中加速析晶。因此我们严格按照清洗、干燥、包装程序,保证坩埚的高纯度,没有污染。


净化水处理

析晶是指熔凝石英向方晶石转化的过程。会导致坩埚的结构,形态和密度的变化;从而导致石英坩埚的碎裂和机械故障。
析晶是包括了两个过程:a).晶核作用B).生长形成
引起晶核作用的原因是碱成分和其他金属所造成的坩埚表面的污染。为了减小晶核作用,我们的生产工艺是“高温熔制涂层法(Coating Method)”,成品坩埚的内层有0.6mm~2.0mm的透明层,这个透明层是纯度极高的石英砂熔制而成,能够保证将晶核作用降到最低点。
而生长形成的速度取决于坩埚在使用中的外部温度和石英坩埚的粘度。熔凝石英的析晶速度随温度的升高,OH ̄ 羟基含量的增加,以及石英的粘度的下降而加快。因此,我们制造的高粘度,低OH ̄羟基含量石英坩埚具有良好的抗析晶的优良性能。


舟箱环
 
影响坩埚的下垂最重要因素是熔凝石英的OH ̄羟基含量。而坩埚的壁厚保持在一定的范围内能有效的控制坩埚的在使用中产生的下垂。坩埚能保持稳定的壁厚度,从而有效的避免了产品在使用中的壁下沉和塌埚现象。同时,配合客户所使用的坩埚发热体的形状尺寸也是必要的。

 

 
 
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